Intel will Plastik-Speicherchips bauen
Die Plastik-Speicherchips sollen sehr viel billiger als heutige nichtflüchtige Speicherbausteine aus Silizium werden.
Der Halbleiter-Weltmarktführer Intel beginnt mit der Entwicklung von Produktionsanlagen für Plastik-Speicherchips. Sie sollen sehr viel billiger als heutige nichtflüchtige Speicherbausteine aus Silizium werden.
Intel und die schwedische Firma Thin Film Electronics (TFE) zeichneten einen neuen Vertrag, der die gemeinsam Entwicklung einer Fertigungslinie für die neuartigen Speicherchips am Intel-Standort Hillsboro (Oregon) und die Lizenzierung der späteren Produktion an Intel umfasst. Daneben will die Firma TFE, die zahlreiche Patente auf diese Technik hält, selbst weiter an neuen Verfahren arbeiten.
Intel ist schon seit einiger Zeit an TFE beteiligt, die größtenteils zur norwegischen Opticom ASA gehört. Die Skandinavier zeigten schon 1999 Polymer-Speicherfilme, die sich angeblich sehr preiswert herstellen lassen. Ein weiterer Clou der Technik ist die Möglichkeit, auf einfache Weise durch Stapelung vieler Filme Speicherchips mit hoher Kapazität zu bauen. Das sind große Vorteile im Vergleich zu heute üblichen Flash-Speicherchips, aus denen sich zwar mittlerweile auch Medien bis zu etwa 1 GByte Kapazität herstellen lassen, die aber sehr teuer sind.
Es gibt zurzeit zahlreiche konkurrierende Verfahren, um nichtflüchtige Speicherbausteine wesentlich leistungsfähiger und deutlich billiger zu machen. Für Medien, die diese Technologie nutzen, wären viele Anwendungsmöglichkeiten denkbar, beispielsweise mit Software oder Multimediadaten vorbespielte Speicherkarten. Diese könnten wahrscheinlich mit besserem Kopierschutz versehen werden, als dies bei optischen Massenspeichermedien heute möglich ist.
Die vor rund drei Jahren bekannt gewordene Tesa-ROM, bei der mit einem holografischen Verfahren Informationen per Laserstrahl in einem Klebefilm-artigen Band gespeichert werden, wird zur Zeit vom Heidelberger European Media Laboratory (EML) als "Optimem" weiterentwickelt. Es arbeitet zusammen mit Universitäten in Mannheim, Karlsruhe und Stanford und wird unter anderen gefördert vom Tesa-Hersteller Beiersdorf AG.
Auch aus herkömmlichen Siliziumwafern soll sich noch sehr viel mehr Speicherplatz als bisher herausholen lassen. Die US-Firma Matrix will noch in diesem Jahr ihr "3-D Memory" (3DM) vom taiwanischen Fertigungsspezialisten TSMC in einem 0,25-µm-Prozess bauen lassen. Im Unterschied zu gewöhnlichen Flash-EEPROMs setzt Matrix auf eine dreidimensionale Struktur, die ebenfalls das Stapeln von Funktions-Lagen erlaubt. Nach Unternehmensangaben sollen 3DM-Speicherchips minimal ein Zehntel herkömmlicher Flash-Bausteine gleicher Kapazität kosten. Ob Matrix dabei den Vergleich zu ebenfalls in 0,25-µm-Technik hergestellten Chips zieht oder die Vorteile der neuesten 0,13-µm-Technik schon einrechnet, ist nicht genau bekannt.
Bis zur Serienreife der genannten Speicherverfahren dürfte aber noch viel Zeit ins Land gehen, in der noch andere Techniken auf den Markt kommen werden oder sich stark verbessern. Zu diesen potenziellen Konkurrenten gehören NROM, MRAM, FRAM oder FeRAM. (ciw)
